尔必达宣布移动设备DDR3内存开发完成

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日本尔必达公司近日宣布，针对下一代移动设备如智能手机和平板电脑的LPDDR3内存颗粒开发完成，预计年底开始试产，2012年下半年开始量产。目前市面上的所今ARM架构SoC处理器以及新鲜亮相的NVIDIA Tegra 3，高通Snapdragon S4集成的内存控制器均为LPDDR2。尔必达这一产品瞄准的应该是ARM Cortex-A15架构SoC上市后的广大市场空间，以及有可能加入战局的Intel Medfield核心SoC。
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. e* Z. V2 m$ @+ K. R8 n尔必达新鲜研发的LPDDR3内存颗粒采用30nm CMOS制程，FBGA封装，颗粒带宽32bit。速度方面最高可达1600Mbps（等效DDR3-1600），内存带宽可达6.4GB/s。
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) B" P- [. u* o功耗方面，新的LPDDR3内存颗粒运行电压1.2V，相比上代LPDDR2功耗可减少约25%。此外，还可采用PoP（Package on Package）堆叠式封装制造8Gbit或16Gbit的颗粒。