Fujitsu和SuVolta將SRAM模塊電壓壓低到0.425V

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, L& |9 L; P+ E) }今天傳來一個好消息，富士通半導體Fujitsu Semiconductor和SuVolta聯合宣布，已經成功地展示了在0.425V超低電壓下（只有上一代的一半），SRAM（靜態隨機存儲）模塊可以正常運行。具體的細節會在12月5日美國華盛頓召開的2011年國際電子器件會議International Electron Devices Meeting上發布，其融合了SuVolta的PowerShrink低功耗CMOS與富士通半導體的低功耗工藝技術。具體來講，就是通過將CMOS晶體管臨界電壓（VT）的波動降低一半，576Kb 的SRAM 可在0.4伏附近正常工作。當然這聽起來技術性很高，普通消費者可能無法理解，從另一個角度簡單理解，就是可以將電子產品的整體功耗減低（供應電壓降低就會帶來功耗的下降），增加更多功能。來源有新聞稿可以看，如果你是個技術宅男，可以先去看個新奇吧。