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推土机晶体管数目大揭秘 凭空减少8亿?

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发表于 2011 年 12 月 3 日 19:36:33 | 显示全部楼层 |阅读模式

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据著名硬件网站Anandtech创始人兼站长Anand Lai Shimpi刚刚透露的消息,AMD公关部门和他取得联系,称此前八核心推土机架构CPU的晶体管数量有误,实际数量不是20亿而是12亿。. i3 Z; l9 s$ l" t3 P# c, c) G, `
7 r$ X1 s' O- A8 z
推土机实际晶体管数目大揭秘$ v# l: t4 H7 v8 j9 x. X
1 ?( n" G5 o* W2 \% {1 B
AMD没有对新的数字做出进一步说明,也没有透露为何此前公布的数字有误。AMD PR补充,4模块8核心推土机的die面积没有变化,仍为315平方毫米。
1 Y( _* g, r5 X* |8 @) g4 T) w( ^- t$ `
市面常见CPU核心数量、制程工艺、晶体管数量与die面积大比拼0 c6 Z0 i1 a' y! d# Y1 A

1 Z. P. y# ?  x3 `# `1 `6 m7 iCPU参数比较
+ p  z; h1 s. h/ D, nCPU
( r' ?: O& H  g( J8 c. l        ! [9 F3 K; m4 G5 o* ^- \' y
制程工艺
" Y% ?& A( e8 U7 a; z9 j        9 C& H4 v" |2 Q! N8 ^" g
核心数量
8 p! A; }8 b' i2 z0 L: n" K( ]        ' Z3 v7 w& |7 T( a: [
晶体管数量
) G, H& U& o6 J        ' O7 k. A7 ~  R( n! X" A, t
Die面积- v! s$ k) _4 ^  v) N) v! t! @
AMD Bulldozer
% q1 u$ c! H1 j! A        5 v/ |  c. g+ t# D* W/ q
32nm' s# @0 C/ U( R
       
' I( U# m/ ~8 D0 V3 N1 s8
2 x* `# d0 T/ P3 \       
6 h$ E) _+ Z* q  o- _20亿
( b! Q7 V/ ]# w3 [4 t       
/ n( I% v; O! e) ?315mm2: w& R( j  R( B. i
AMD Thuban
! ]6 L9 V) ]' M0 q2 N$ n4 s& u        , t! I$ z" V! C8 I/ D
45nm
0 [) {5 Z5 S9 L" c, b( v        , J9 `; r5 ]/ l
6
' e1 K( ^7 ~# N# i5 N+ v       
$ C( p# j5 j! `+ A9.04亿
0 Z# B- H3 f; |, {* Z" s/ T! q' Q       
% I% V) k0 I& {346mm2
7 I, |3 ^& I; w* ~: qAMD Deneb
' y/ Y' H4 Z' R5 G5 P       
# Y% M$ Z' @( f  S% D! M5 X& ]45nm9 v2 F4 q# k  \( N& @
        ! {) N. U! K% ^+ @& P1 L; x
4- w' N5 V3 r; s/ k3 j! w% j
       
  S/ h2 u; z. e7 j# D7.58亿
5 \& Q1 e- }( a7 |% Q+ V       
7 U9 l4 k$ v1 A# y3 X. @258mm20 m5 M. u/ K; R4 q- P
Intel Gulftown/ M- c( W2 p2 V
        : p% M& U& W# L' \+ D2 C% J
32nm
  S. w( Y1 U1 q% _% g% @       
8 q' p# I- {+ |5 N* P. C# A& f6
# S' \; D) r, m6 S4 U# I3 ]        7 X$ j) m0 L0 C; n$ s, i4 F; P
11.7亿
7 N4 \+ {0 H' }' O6 v6 [, W        0 y2 b) W5 ?( n  B4 O' F; L9 n1 g
240mm22 t3 @7 f/ O2 ~4 f! n. ^4 i8 i# l& W
Intel SNB-E2 g: U3 S* ]2 t4 j4 x% d# Q+ t0 I6 a
       
7 A) V8 _3 h3 y8 i1 G& s9 q- S# G" `32nm
( F  Z( O& U2 C$ y- N0 Y       
/ u3 Y4 O8 ?8 P+ r* B6
8 U* M' J5 O  c# {1 b* N  l4 z2 \/ M       
- E, J' ~/ }' g3 u( w; d22.7亿
6 x# a9 k7 q, u4 _' P       
3 o6 h" O4 ~) _2 d435mm2
: _9 J. z2 e7 l3 J* X; {Intel Nehalem7 |2 l, Q2 `( E2 y
       
6 Q& `& s7 I9 L0 O4 c45nm
+ a% ?. h+ D( J       
$ o  |- d, ?' x( o0 k48 {8 B0 |; \0 h- _
       
; y' h. S9 p1 J6 d/ f4 d" s$ Q7.31亿6 M4 U, M/ N! ~( R
       
, k4 k- o# ?; l# y  R( U263mm2$ s3 p2 d0 G. a! G2 M
Intel SNB
& h) w2 n, [, C        7 G6 f- n* }8 \) q! `2 G5 `0 ^) M
32nm. o2 v1 ^1 i2 A7 o* B4 P$ p3 J; B
        % j+ D6 W9 `# Z0 q
42 u' e- j6 p8 `, B
        + c1 @8 O: V  J% i5 f* H+ a) z
9.95亿
* X( W* d3 F% z          k% E% ~( M$ ?0 i
216mm2
) u& T2 {) e2 Q9 W% |, Q! n6 q# eIntel Lynnfield* ^4 j3 V& {0 g: Q
        ! c6 Q( C6 ?  F7 ?& P
45nm0 v9 k9 ^6 V' A* }" h, ]5 i
          C+ x$ X) c1 K( U
4
2 |% ]6 I% M8 v2 q, U) h; `       
# s% Q& x" K. u8 v' H# `7.74亿
: ~2 C# d$ G0 X' |, T5 Y7 y0 t. J       
" t$ p9 v) {% K& n# }  z5 H296mm2. V4 _' c0 K9 y& E- J) Q4 Q
Intel Clarkdale
. r  x( i! {2 y% {        ; M- t- k( n" S) M; s% Q
32nm& P6 L' r2 c7 F  e, ^" u
          a  v7 \; R0 u% L( [( ]8 c) @
28 q+ [& D$ u: T" L& T3 X8 X
        2 c! ?  s% u7 ~* |
3.84亿# K& @. E0 w1 m
        ( B! ]3 q5 x+ Y0 |: ~) I- L& H* Z7 h' d
81mm2: \6 f2 d# t/ T
Intel SNB(GT1)% F8 i: Y8 y; L  B
       
! v" ]& }; m; |7 Y6 H8 U32nm
: `2 V4 J7 F- G' B/ w4 `- w9 }       
8 C* \; b. l% w6 g2# t2 w3 o# l8 |1 E1 ]9 C
        & ?' ~6 R. r; O& |, M$ R0 `; ~0 ^9 G
5.04亿
4 z! U% Z  o! K( V# x4 Y       
" P. _$ a( w& g4 m& B& R/ b8 L131mm2
( y2 k' d; t6 E. J9 F, JIntel SNB(GT2). C& Y) L4 k0 i0 M
       
) Q+ |" p1 n" ~8 f7 F32nm
' \" W9 U" S3 q7 u3 F: e( i       
; B5 q8 b' O* f- f20 @# M; N& p  m5 A' w" u
       
1 r( L2 |4 K: m- i& T6.24亿
. F! C, i+ j+ h& y       
( |5 B3 `  d" P: q149mm2
  P: }# b$ A  V* D4 c
" T8 o/ l+ `& g: S尽管实际的晶体管数量削减了约40%,不过AMD首款32nm工艺的高端CPU晶体管密度还是远大于它的45nm产品。
" X6 {/ K  |5 [( U3 N) |' o# O
" K% `. N. N% V1 k, c% _推土机实际晶体管数目大揭秘; X% a7 E3 i& U. U3 B, w0 G
" R0 `7 E4 [0 g  M7 _
晶体管密度不仅仅取决于制造工艺,包括芯片的细节比如逻辑模块、缓存部分和I/O晶体管都对die的最终设计有影响。高晶体管密度通常更受制造工厂的欢迎(每die的缺陷更少,一块晶圆能切割的成品更多,成本更低等),不过对于终端用户来说这都无所谓,性价比或者能耗比才是王道。
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